416 
Die Bilder 1a und b zeigen die Gefüge der unterschiedlichen Keramiken nach einer schwachen Plas- 
maätzung (90 s). Die Si3N4-Phase wird von den durch das Plasma erzeugten Fluorradikalen stärker 
angegriffen. Dies hat einen stärkeren Abtrag zur Folge. Der dabei entstandene Höhenunterschied 
zwischen den Phasen sowie ein geringfügiger Materialkontrast zwischen Si3N4 und SiC ermöglichen 
die Darstellung der beiden Phasen im Rasterelektronenmikroskop. Außerdem ist die oxidische Bin- 
dephase an den Korngrenzen und Zwickeln der Siliciumnitridkristallite sichtbar, da diese durch die 
Plasmaätzung nicht angegriffen wurde. Die SiC-Partikel befinden sich teilweise innerhalb der Si3N4- 
Kristallite (intragranular) liegen jedoch zum größten Teil als Agglomerate zwischen den Silicium- 
nitridkristalliten (intergranular). 
Bilder la und b: REM-Aufnahmen einer grob- (a) und einer feinkristallinen (b) SiCN-Keramik 
nach einer schwachen Plasmaätzung 
Mit Hilfe des Rastersondenmikroskopes ist es infolge der hohen Tiefenauflösung möglich die SiC- 
Phase gegenüber den Si3N4-Kristalliten kontrastreicher als im Rasterelektronenmikroskop abzubil- 
den (Bild 2). 
500 ar 
Bild 2: AFM-Aufnahme einer plasmageätzten SiCN-Keramik