Prakt. Met. Sonderband 30 (1999) 233 
An N kann man auch Treppen abtragen. Ist das Substratmaterial Silizium, so können auch Ätzgase 
eich verwendet werden, es muß aber darauf geachtet werden, daß kein Material vorhanden ist, das 
Rt wenden spontan (d.h. ohne Ioneneinwirkung) mit dem Gas reagiert (z. B.: Kupfer und Iod). 
Big » 
im FB zu 
zu mit dem 
| verfingem 
theres siche 
m dünn ist, 
t allerdings 
ıg möglich, 
paraton is 
Kupfernng 
ne Bild 4: FIB-Bild einer grob priparierten TEM-Probe (Kupferdiinnschicht auf Silizium) 
yahe an das 
x B br Nach dem ersten Schritt ist in Bild 4 schon eine Probe von 20 um Länge und 5 um Dicke zu 
jest af fo erkennen. Im nächsten Schritt wird analog zum Priparieren von Querschnitten die Probe poliert. 
um ee Angefangen wird mit einem Strahlstrom von 1000 pA, bis die Probe 500 nm dick ist. Der 
Polierschritt muß natürlich von beiden Probenseiten durchgeführt werden. 
Nun wl Daraufhin erfolgt die Feinpolitur mit 70 pA. Mit diesem Strahlstrom wird die Zieldicke erreicht. 
oben Soll an der TEM-Probe eine quantitative Analyse durchgefiihrt werden, ist die Planparallelitit der 
im Ben Probe von essentieller Bedeutung. Dies kann erreicht werden, indem die Probe jeweils um 2 bis 3 
i. WE " Grad vom Strahl weggekippt wird. Darüber hinaus muß beachtet werden, daß Gallium mit manchen 
nl ml Materialien (z.B.: Cu) reagiert. Auf jeden Fall empfiehlt es sich die mit Gallium dotierte Probe 
gem anschlieflend einem Reinigungsschritt bei einer niedrigen Beschleunigungsspannung von 6 kV zu 
nt unterziehen. Die Dicke der mit Gallium verunreinigten Schicht hängt ausschließlich von der 
ers lI