Prakt. Met. Sonderband 30 (1999) 235 
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Bild 6: Bruch im Si3Na Bild 7: Zielpräparation, Aufbau wie Bild 1 
Sollte die Auflösung des FIB nicht genügen, um derartige Fragestellungen zu klären, kann man an 
der besagten Stelle auch eine TEM-Probe herstellen. Bild 8 zeigt eine Probe mit ähnlichem Aufbau 
im TEM abgebildet. In diesem Fall sollte die Ursache der Porenbildung in der Kupferschicht 
untersucht werden. Wie man erkennen kann, wurde die Siliziumnitrid-Passivschicht durchbrochen. 
Das “Tigermuster” ist ein Artefakt der FIB-Präparation und kann auf die Bildung von 
intermetallischen Phasen zwischen Gallium und Kupfer zurückgeführt werden (8). 
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d wiederum Bild 8: Kupfer TEM-Probe 
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ianifikanten Sollte die reine Abbildung im TEM noch nicht ausreichen, um werkstoffwissenschaftliche Fragen 
ne Substrät zu klären, bietet sich diese TEM-Probe auch zur Analytik im TEM an (im speziellen für die 
ior PT Elektronenenergieverlustspektroskopie). Der große durchstrahlbare Bereich und die große 
reagen der Dickenhomogenitit der Probe sind dafür ideale Voraussetzungen. Ein Beispiel hierfür ist Bild 9: Es 
wurde eine Aluminum-Magnesium Dünnschichtlegierung auf einem thermisch oxidierten Wafer 
abgeschieden und einem Temperaturzyklus unterzogen. Wie man sieht, findet man zwischen Wafer 
Om mwische“ und Aluminumlegierung zwei Schichten statt der erwarteten einzelnen Siliziumoxidschicht. 
Elementverteilungsbilder von Aluminium, Magnesium, Silizium und Sauerstoff zeigen, daß sich 
\ zwischen Siliziumoxid und dem Metall eine magnesiumreiche Schicht gebildet hat (Hohe 
; Grauwerte zeigen hohe Konzentrationen des analysierten Elements). Die wahrscheinlichste 
’ Stéchiometrie ist die von Olivin (Mg,SiOy4), wie durch eine quantitative Auswertung der Bilder 
bestätigt wird.