236 Prakt. Met. Sonderband 30 (1999)
ADSI
Jörg 1!
7!
1 ink
Durch
met
Bild 9: TEM-Bild und Elementverteilungsbilder von Al, Mg, Si und O pe
werden
Zusammenfassung Ge
Es wurde gezeigt, daß das FIB ein universell einsetzbares Werkzeug für die Werkstoffwissenschaft N .
ist. Es erlaubt erstmals eine TEM Zielpräparation mit einer Genauigkeit von wenigen hundert 0 |
Nanometern. Darüber hinaus kann die Präparationszeit gegenüber herkömmlicher TEM- Diese
Probenherstellung drastisch verkürzt werden. Eine TEM-Probe ist innerhalb weniger Stunden ci,
herstellbar. Die große durchstrahlbare Fläche ermöglicht es auch, lokal ausgedehnte Strukturen zu tie
beobachten, wie zum Beispiel ganze Leiterbahnen aus der Mikroelektronik. Die hohe Pb
Schichtdickenhomogenität der Proben ist eine ideale Voraussetzung für die quantitative Analyse am on
TEM. Der Nachteil dieser Methode ist die Kontamination der Probe durch Gallium. Diese kann oe
durch geeignete Reinigungsschritte bzw. durch die Abscheidung einer Schutzschicht minimiert oo
werden. Es kann aber bei manchen Materialien, wie zum Beispiel Kupfer, zu Artefakten führen. oo
Abschließend bleibt noch zu erwähnen, daß diese Préparationstechnik nur einen wenn auch wi
wichtigen Teilbereich der Anwendungsmoglichkeiten eines FIB in der Werkstoffwissenschaft =
darstellt. Da es sich iiberdies als Mikroskop mit speziellen Abbildungsmechanismen, als Dez
Prototypherstellungsgerät für Mikrosysteme und mit geeigneten Detektoren als Analsyewerkzeug MA
eignet, wird es in naher Zukunft zu den wichtigen Methoden der Werkstoffwissenschaft gehören. or
Danksagung
Die Autoren danken J. Marien, J. Plitzko und J. Mayer fiir die TEM-Untersuchungen. hry
Die A
Literatur Iie
(1) L. W. Swanson, Applied Surface Science 76/77, 80-88 (1994). =
(2) J. Orloff, Rev. Sci. Instrum. 65 (5), 1105-1129 (1993). & N
(3) D. L. Barr and W. L. Brown, J. Vac. Sci. Technol. B 13 (6), 2580-2583 (1995). N
(4) E. C. G. Kirk, D. A. Williams und H. Ahmed, Inst. Phys. Conf. Ser. 100, 501 (1989) a
(5) R. Young, E. C. G. Kirk, D. A. Williams und H. Ahmed, Microelectronics Eng. 11, 409 (1990).
(6) J. F. Walker, J. C. Reiner und C. Solenthaler in "Microscopy and Semiconducting Materials”,
Oxford, IOP Publishing, 629-634, 1995
(7) T. Ishitani, H. Koike, T. Yaguchi und T. Kamino, J. Vac. Sci. Technol. B 16 (4), 1907-13 il
(1998).
(8) J. Marien, J. M. Plitzko, R. Spolenak, R.-M. Keller und J. Mayer, Journal of Microscopy,
submitted (1998).