Full text: Fortschritte in der Metallographie

236 Prakt. Met. Sonderband 30 (1999) 
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Durch 
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Bild 9: TEM-Bild und Elementverteilungsbilder von Al, Mg, Si und O pe 
werden 
Zusammenfassung Ge 
Es wurde gezeigt, daß das FIB ein universell einsetzbares Werkzeug für die Werkstoffwissenschaft N . 
ist. Es erlaubt erstmals eine TEM Zielpräparation mit einer Genauigkeit von wenigen hundert 0 | 
Nanometern. Darüber hinaus kann die Präparationszeit gegenüber herkömmlicher TEM- Diese 
Probenherstellung drastisch verkürzt werden. Eine TEM-Probe ist innerhalb weniger Stunden ci, 
herstellbar. Die große durchstrahlbare Fläche ermöglicht es auch, lokal ausgedehnte Strukturen zu tie 
beobachten, wie zum Beispiel ganze Leiterbahnen aus der Mikroelektronik. Die hohe Pb 
Schichtdickenhomogenität der Proben ist eine ideale Voraussetzung für die quantitative Analyse am on 
TEM. Der Nachteil dieser Methode ist die Kontamination der Probe durch Gallium. Diese kann oe 
durch geeignete Reinigungsschritte bzw. durch die Abscheidung einer Schutzschicht minimiert oo 
werden. Es kann aber bei manchen Materialien, wie zum Beispiel Kupfer, zu Artefakten führen. oo 
Abschließend bleibt noch zu erwähnen, daß diese Préparationstechnik nur einen wenn auch wi 
wichtigen Teilbereich der Anwendungsmoglichkeiten eines FIB in der Werkstoffwissenschaft = 
darstellt. Da es sich iiberdies als Mikroskop mit speziellen Abbildungsmechanismen, als Dez 
Prototypherstellungsgerät für Mikrosysteme und mit geeigneten Detektoren als Analsyewerkzeug MA 
eignet, wird es in naher Zukunft zu den wichtigen Methoden der Werkstoffwissenschaft gehören. or 
Danksagung 
Die Autoren danken J. Marien, J. Plitzko und J. Mayer fiir die TEM-Untersuchungen. hry 
Die A 
Literatur Iie 
(1) L. W. Swanson, Applied Surface Science 76/77, 80-88 (1994). = 
(2) J. Orloff, Rev. Sci. Instrum. 65 (5), 1105-1129 (1993). & N 
(3) D. L. Barr and W. L. Brown, J. Vac. Sci. Technol. B 13 (6), 2580-2583 (1995). N 
(4) E. C. G. Kirk, D. A. Williams und H. Ahmed, Inst. Phys. Conf. Ser. 100, 501 (1989) a 
(5) R. Young, E. C. G. Kirk, D. A. Williams und H. Ahmed, Microelectronics Eng. 11, 409 (1990). 
(6) J. F. Walker, J. C. Reiner und C. Solenthaler in "Microscopy and Semiconducting Materials”, 
Oxford, IOP Publishing, 629-634, 1995 
(7) T. Ishitani, H. Koike, T. Yaguchi und T. Kamino, J. Vac. Sci. Technol. B 16 (4), 1907-13 il 
(1998). 
(8) J. Marien, J. M. Plitzko, R. Spolenak, R.-M. Keller und J. Mayer, Journal of Microscopy, 
submitted (1998).
	        
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