Prakt. Met. Sonderband 30 (1999) 423 
besondere Arbeitsschritte erforderlich. Dann sollte die Probe vor dem Trennen eingebettet werden 
und anschließend mit einem diamantbesetzten Sägeband getrennt werden. Bei der Probennahme 
muß jede thermische Beeinflussung der Probe vermieden werden. Der Grund hierfür liegt in der 
geringen Schmelztemperatur der Weichlote (183°C für die eutektische Sn-Pb- Legierung). Hohe 
Temperaturen, die beim trockenen Trennschneiden oder Warmeinbetten entstehen, führen schon zu 
Gefügeveränderungen. Das Einbettmittel sollte dünnflüssig sein, damit Hohlräume zwischen 
Bauteil und Leiterplatte ausgefüllt werden. Zur Verbesserung der Füllung von Spalten und 
Hohlräumen wird unter Vakuum eingebettet. 
Epoxidharz eignet sich aufgrund seiner niederen Aushärtetemperatur und seiner geringen Viskosität 
besonders zum Einbetten von elektronischen Werkstoffverbunden. Ein weiterer Vorteil liegt in der 
Durchsichtigkeit des Einbettmaterials, da sich so eine gute Zielpräparation durchführen läßt. 
Nachteil des Einbettmittels ist die geringe Härte (ca. 280 HU) gegenüber der Keramik. 
Schleifen und Polieren: 
Hierzu werden zwei Präparationsmethoden vorgestellt und miteinander verglichen. Ein direkter 
Vergleich der Präparationsmethoden wird an einem Leistungsbauelement durchgeführt. Um die 
Präparationsmethoden zu vergleichen, wird am Querschliff eine Profilmessung und Härtemessung 
durchgeführt. Der Materialaufbau des untersuchten Leistungsbauelements ist in Bild 2 dargestellt. 
L0H Dieses Modul wird in zwei Arbeitsschritten hergestellt. Zunächst wird ein Siliziumchip mit einem 
lente Zinnlot (Schmelzpunkt 232°C) auf ein DCB-Substrat, bestehend aus Kupfer/Al2Os- 
onda Keramik/Kupfer, aufgeldtet. Anschließend wird dieser Verbund mit einem Zinn-Blei-Lot 
Qe (Schmelzpunkt 183°C) auf einen Träger aus Kupfer aufgelötet. ; 
= Onis In Tabelle 2 und 3 sind die beiden Präparationsabläufe zum Vergleich dargestellt. 
ıng mit Hilfe 
| __Schleifen _; _ ~~ Polieren __ 
Stufe 1-4. 5 6 7 8 
Unterlage | Schicifpapier DP. Dur | OP-Chem_ 
) Abrasiv Diamant 
markier, zB. Korngröße lum 0.25pm 
eral, Jie damn Schmiermittel OPS 
(B. elektrische Rotation [U/min] 300 150 150 | 
mint | Zeit [min] bis plan 10-20 5-10 2 | 05 
r Schliffebene 
| hl Tabelle 2: Präparationsmethode 1 
2 3 Schleifen _ _Polieren_ nn 
Stufe ı 1 2 | 3 4 i 5 
Unterlage MD-Largo Dur nn DP- Dur OP-Chem | 
dert oder gar Abrasiv sic] Diamant Diamant Diamant 
meeinbringung Korngröße 9um |__ Aum lum 0,25um 
g von der ZU Schmiermittel blau re rot OPS 
a Rotation [U/min] 300 I 250 150 150 
eine N Zeit [min] bis plan |! 5 1 | 0.5 05 | 
„Abstand ZUF m 
vird. Befinden Tabelle 3: Präparationsmethode 2 
al 
win Trennen