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Bilder 1a-c: AFM-Aufnahmen (a und c) und Oberflächenprofil (b) einer überätzten Si3N,-Keramik 
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Bild 2a u.b: AFM-Aufnahmen plasmachemisch geitzter SizNy- (a) und SizN4/SiC-Keramiken (b) Besonden 
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Carbidische Keramikwerkstoffe Is 
Bei SiC-Keramiken (LPSiC), die mit einer oxidischen Phase gesintert wurden, kann das Kristallit- mi == 
gefiige wie bei Siliciumnitrid durch plasmachemische Atzung entwickelt werden. Durch Einstellen Eg 
eines optimalen Hohenprofils bei der Atzung (Bild 3a) ist es moglich, die Kristallite mit dem AFM schieden 
abzubilden und die Kontrastverhältnisse (Bild 3b) so einzustellen, daß eine automatische Kristallit- Partikel 
größenmessung erfolgen kann. 
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Bild 3a u.b: AFM-Aufnahmen einer plasmachemisch geätzten LPSiC-Keramik in räumlicher Dar- 
stellung (a) und in Topografiekontrast (b) 
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