In Bild 3 ist die TEM-Hellfeldabbildung der dünnsten Schicht einer MOSFETs, dem SiO>-
e- und Gateoxid, mit einer Schichtdicke von 1.7 nm dargestellt. Die Anwendung der energie-gefilterten
für die TEM (EFTEM) zur Untersuchung von Doppelschicht-Gate-Dielektrikas ist in [4] beschrieben.
out-of Kommt die innovative Kupfertechnologie zur Herstellung von Interconnects zum Einsatz, so
besteht eine wesentliche Aufgabe in der Kontrolle der Kantenbedeckung von Kontaktldchern mit
00 mm einer ultradiinnen Barriereschicht und mit gesputtertem Kupfer, das als Keimschicht fiir den sich
lectron anschlieBenden galvanischen Abscheideprozess fungiert. Bild 4 zeigt eine Kontaktkette nach Ta-
e) eine Barriere/Cu-Keimschicht-Abscheidung sowie nach dem Fiillen der Kontaktlécher und —griben mit
spatiale Kupfer.
andard-
r, durch Kontaktkette nach Ta- Cu-gefiilite
Barriere/Cu- Kontaktkette
werden, Ketmschicht-
immen. Abscheidung
der das
1s poly-
afCu-
3chichtdicken
cann. Bei Bild 4: Ta-Barriere/Cu-Keimschicht-Analyse (TEM-Bilder)
die TEM ’
trika und
Für diese TEM-Analyse werden extrem hohe Anforderungen an die FIB-Probenpräparation gestellt.
Die Verwendung von Software-Routinen zur Schichtdickenbestimmung ermöglicht es, die
Krümmung der Kontaktlöcher in der TEM-Lamelle zu berücksichtigen. Außerdem wird der
subjektive Fehler durch den Operator eliminiert [5]. Eine Alternative zur Schichtdickenbestimmung
in Kontaktlschern mit einem Durchmesser unter 200 nm besteht in der Anwendung der
Elektronentomographie im TEM [6,7].
3. Physikalische Fehleranalyse
Das Ziel des in-line-Defektmonitorings mittels REM besteht darin, kleinste, auch vergrabene
Defekte schnell zu erkennen. Weitere Informationen, wie die chemische Zusammensetzung des
Defekts und dessen vertikale Lage (für vergrabene Defekte), werden heute meist in out-of-fab-
Analytiklabors generiert. Standardmäßig kommen DualBeam-FIB-Anlagen mit energiedispersivem
Detektor zur Elementanalyse zum Einsatz, die ganze Wafer aufnehmen können und die über die
Möglichkeit der Navigation verfügen. Nicht alle Fragestellungen zur physikalischen Fehleranalyse
lassen sich jedoch mittels REM/FIB beantworten. Oberflächenanalytische Verfahren, wie z. B.
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