Augerelektronenspektroskopie (AES) sowie analytische TEM kommen dann ergänzend zum backscatte 
Einsatz. Verfahren 
kristallogı 
EDX 
| Punkt | beugungs! 
iy 
ba, 
RE vd 
EDX-Messung von (, Si REM-Abbildung Auger-Elementverteilungsbild — 
Bild 5: EDX/Auger-Elementaranalyse an einem Defekt nach FIB-Querschnitt A 
Bild 5 zeigt die REM-Aufnahme von einem FIB-Querschnitt durch einen vergrabenen Defekt sowie 
zwei EDX-Punktanalysen und ein AES-Elementverteilungsbild. Die Untersuchungen zeigen fr ol 
deutlich, dass es sich hier um ein von Si umbhiilltes SiO,-Teilchen handelt. Gers 
. . . . x a . UE 
Die EFTEM-Elementverteilung in Bild 6 zeigt klar ein Si-Teilchen, das mit Ausnahme der YW 
Auflagefläche von einer dünnen Ti/TiN-Barrierschicht umgeben ist. Daraus kann man folgern, dass 
das Teilchen bereits vor der Barriereabscheidung vorhanden war. Bild 7: Ko 
In Bild 7 
der Best 
mittels R 
der Kup 
Fasertex 
Körnern, 
orientier 
Bild 6: Defekt-Analyse mittels EFTEM (Partikel) 
Die Untersuchung von Kontakten mit hohem elektrischen Widerstand bzw. von offenen Kontakten 
mittels REM/FIB und die entsprechende physikalische Fehleranalyse mittels analytischer TEM sind 
in [81 beschrieben worden. 
4. Gefügeanalyse an Metall-Interconnects Bild 8: © 
Die Zuverlässigkeit mikroelektronischer Bauelemente hängt wesentlich von der Stabilität der on- Has: 
chip-Interconnects gegeniiber Elektromigration ab. Bei Kupfer-Interconnects stellen die Bild 8 
Grenzflichen zur Barriere und zu einem dünnen Dielektrikum schnelle Diffusionspfade dar. Die Kupfer! 
Ausbildung dieser Grenzflächen ist mit der Größe und der Orientierung der Kupferkörner in den u 
Leitbahnen korreliert. der Sen 
Sowohl die Korngröße und deren Verteilung als auch die Textur von Kupferkörnern in dünnen Neigung 
Schichten und sub-Mikrometer-Interconnects können mit Hilfe der EBSD-Methode (electron 
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