5. Trends Materialc 
Die von Gordon Moore vor mehr als drei Jahrzehnten prognostizierte und später in der ITRS- 
Roadmap dokumentierte Entwicklung, wonach sich die Leistungsfähigkeit von Speicher- und F_Miicklic 
Logik-Schaltkreisen aller 18 Monate verdoppelt, hat sich zumindest fiir den Bereich der Funktions) 
Mikroprozessoren in den letzten Jahren beschleunigt. Dieser Trend hat bewirkt, dass Forschung, 
Prozess- und Produktentwicklung sowie Fertigung zeitlich näher zusammengerückt sind und sich Dedicated 
teilweise überlappen, und dass sich die Anzahl der Lernzyklen bei der Einführung neuer 
Technologien und Produkte verringert. Als eine wichtige Konsequenz müssen physikalische Abstract 
Analysen schneller verfiigbar sein. Um dieser Forderung gerecht zu werden, wird es in Zukunft The 3D de 
notwendig sein, zunehmend neue zerstörungsfreie bzw. zerstörungsarme Verfahren für das in-line- the surface, 
Monitoring im Reinraum zu implementieren. AuBerdem sind innovative Lösungen zur Entnahme properties \ 
von REM- und insbesondere TEM-Querschnittsproben im Reinraum für die physikalische Analytik This scatter 
in out-of-fab-Labors erforderlich. surface mic 
composite 
Mit der zunehmenden Miniaturisierung der Strukturen in Halbleiterbauelementen steigen die By the inte 
Anforderungen an die Elektronenmikroskopie. Optimierungen im Strahlengang zur Erhöhung der of sufficien 
REM-Auflösung sowie die Reduzierung der sphärischen Abberation zur Verringerung von microstruct 
Delokalisierungseffekten bei TEM stehen gegenwirtig im Vordergrund. Nachdem sich die digitale 200 Do 
Bildaufnahme und —speicherung sowohl bei REM als auch bei TEM durchgesetzt hat, werden ee 
künftig verstärkt automatisierte Verfahren zur Auswertung der Bildinformation zum Einsatz 
kommen. 
1. Introdu 
Danksagung nn 
Die Verfasser danken Andreas-Moritz Meyer, Holger Saage, Quentin de Robillard und Heiko In biologic: 
Stegmann (AMD Saxony Manufacturing GmbH Dresden) fiir wertvolle gerétetechnische und Mans 1 
methodische Weiterentwicklungen auf dem Gebiet der Elektronenmikroskopie, Beate Volkmann remarkable 
und Yvonne Ritz (AMD Saxony Manufacturing GmbH Dresden) fiir die TEM-Probenpréparation feature size 
mittels FIB sowie Kornelia Dittmar (AMD Saxony Manufacturing GmbH Dresden) und Uwe technical re 
Kramer (TU Dresden. Fachbereich Physik) fiir die AES- und EBSD-Untersuchungen. 
Laser inter! 
Literatur surface mo 
(1) Zschech, E.; Langer, E.; Engelmann, H J: Dittmar, K.; Blum, W.: Einsatz physikalischer ob 
Analysemethoden zur Charakterisierung von dünnen Schichten und Grenzflächen in der tochnigues 
Halbleiterindustrie, Vakuum in Forschung und Praxis 13 (2001) 1, 29-36 an immedi: 
(2) International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), Semiconductor International structures v 
Association (SIA), 2000 (http://public.itrs.net/home.htm) specialty of 
(3) Joy, D. C.; Ko, Y. U.; Hwu, J. J.: Metrics of resolution and performance for CD-SEMs, 2001 in the UV ) 
(4) Zschech, E.; Engelmann, H. J.; Saage, H., de Robillard, Q.; Stegmann, H.: Charakterisierung the technic: 
von Schichtsystemen in mikroelektronischen Bauelementen: Herausforderungen für selection, a 
Probenpriparation und TEM-Analyse, Prakt. Metallogr. 38 (2001) 8, 442-453 Compared 
(5) deRobillard, Q.; Saage, H.; Engelmann, H. J.: unverdffentlicht nano-metel 
(6) Stegmann, H.; Engelmann, H. J.: unverdffentlicht large photo 
(7) Mardinly, J.: The effect of Moore’s Jaw on the growing role of transmission electron directly thr 
microscopy in the semiconductor industry, MSA Conf., Long Beach/CA 2001 mechanism 
(8) Engelmann, H. J.; Saage, H.; Zschech, E.. Application of analytical TEM for failure analysis of reaction an 
semiconductor device structures, Microelectronics Reliability 40 (2000) 1747-1751 
(9) Zschech, E.; Blum, W.; Zienert, I; Besser, P. B.: Effect of copper line geometry and process 
parameters on interconnect microstructure and degradation processes, Z. Metallkde. 92 (2001) 
203-809 
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