Full text: Fortschritte in der Metallographie

234 Prakt. Met. Sonderband 47 (2015) 
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Abb. la: Zu weich eingebettete SiC/SiCy Probe. Lustand Abb. 1b: korrekt eingebettete SiC/SiC; Probe. Zustand nach 
nach 60 min. 3pm Politur auf perforiertem Kunstfasertuch. 30 min. 3um Politur auf perforiertem Kunstfasertuch. A 
Schleifen: ’ ” 3 
Es wurden Diamantschleifscheiben in drei Abstufungen (220, 600, 1200) fiir den Abtrag § 
verwendet. dir 
Polieren: liven 
Ein vierstufiger Polierprozess schlieBt sich dem Schleifen an. Es wurde mit 15 pm, 6 pm und 3 pm Fir die 
auf einem perforierten Kunstfasertuch poliert. Der 1 pm Polierschritt erfolgte auf einem dngeseL 
mittelharten Kunstseidentuch. Soll das Siliziumkarbid geiitzt werden, ist eine Endpolitur mit einer Fy 
Si0,-Suspension angeraten, da Kratzer nach der chemischen Atzung zum Vorschein kommen. Fe (iF 
Scheibe / Körnung / Drehzahl Schmiermittel Druck Zeit / A 
Unterlage Korngröße U/min ATM/Saphir min 
Schleifen 1 Diamant ) 19 Wasser 2 bar bis i” 
plan 
Schleifen 2 Diamant 600 300 Wasser "2 bar 5 
Schleifen 3 Diamant 1200 150 Wasser 2 bar 10 
Polieren 1 perforiertes 15 um 159 Lubrikant 2 bar 25 
Kunstfasertuch . 
Polieren 2 perforiertes 6 rm vey) Lubrikant ar 25 
Kunstfasertuch 
Polieren 3 perforiertes 3 m \ Lubrikant or 15 
Kunstfasertuch 
Polieren 4 mittelhartes 1m 50 Lubrikant 2 har 5 
Kunstseidentuch 
Tabellel: SiC-Priparation 
224 UL : 74, 
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